Výrobca Číslo produktu:
CSD25211W1015
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD25211W1015-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventár:
383 Ks Nové Originálne Na Sklade
12814961
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD25211W1015 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
-6V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
570 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-DSBGA (1x1.5)
Balenie / puzdro
6-UFBGA, DSBGA
Základné číslo produktu
CSD25211
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Produktová stránka výrobcu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
CSD25211W1015-DG
-296-36578-1-DG
296-36578-6-NDR
-296-36578-1
296-36578-1
296-36578-2-NDR
296-36578-1-NDR
296-36578-2
-CSD25211W1015-NDR
296-36578-6
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PMCM6501UPEZ
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15278
ČÍSLO DIELU
PMCM6501UPEZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRL2505SPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
CSD16325Q5
MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
IRFL024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
