Výrobca Číslo produktu:
CSD86360Q5D
Product Overview
Výrobca:
Texas Instruments
Číslo dielu:
CSD86360Q5D-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
Podrobný popis:
Mosfet Array 25V 50A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6)
Inventár:
13470 Ks Nové Originálne Na Sklade
12815797
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
CSD86360Q5D Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Texas Instruments
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
NexFET™
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12.6nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2060pF @ 12.5
Výkon - Max
13W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerLDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-LSON (5x6)
Základné číslo produktu
CSD86360Q5
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Produktová stránka výrobcu
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
-CSD86360Q5D-NDR
CSD86360Q5D-DG
-296-35026-1
-296-35026-1-DG
296-35026-6
296-35026-1
296-35026-2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF9910TR
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
CSD87335Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
TPS1120D
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC