Výrobca Číslo produktu:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
Popis:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventár:
12890736
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SA1930(LBS2MATQ,M Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
2 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
180 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Prúd - hranie kolektora (max.)
5µA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Výkon - Max
2 W
Frekvencia - Prechod
200MHz
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Balík zariadení dodávateľa
TO-220NIS
Základné číslo produktu
2SA1930
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SC5171(ONK,Q,M)
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
2SA1887(F)
TRANS PNP 50V 10A TO220NIS
2SC2235-Y,USNHF(M
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD