Výrobca Číslo produktu:
2SB1481(TOJS,Q,M)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SB1481(TOJS,Q,M)-DG
Popis:
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventár:
12889863
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SB1481(TOJS,Q,M) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
4 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
100 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
Prúd - hranie kolektora (max.)
2µA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
Výkon - Max
2 W
Frekvencia - Prechod
-
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Balík zariadení dodávateľa
TO-220NIS
Základné číslo produktu
2SB1481
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SC6026MFV-Y,L3F
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
2SC2235-Y(T6CANOFM
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
2SC3225,T6ALPSF(M
TRANS NPN 40V 2A TO92MOD