Výrobca Číslo produktu:
2SC6076(TE16L1,NV)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
Popis:
TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 10 W Surface Mount PW-MOLD
Inventár:
12889979
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SC6076(TE16L1,NV) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
3 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
80 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Prúd - hranie kolektora (max.)
1µA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
Výkon - Max
10 W
Frekvencia - Prechod
150MHz
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Balík zariadení dodávateľa
PW-MOLD
Základné číslo produktu
2SC6076
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
2SC6076(TE16L1NV)-DG
2SC6076(TE16L1NV)TR
2SC6076TE16L1NV
2SC6076(TE16L1NV)
2SC6076 (TE16L1,NV)
2SC6076(TE16L1NV)INACTIVE
2SC6076(TE16L1NV)DKR
2SC6076(TE16L1NV)CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
MJD243T4G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2406
ČÍSLO DIELU
MJD243T4G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
2SD1816T-TL-H
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
723
ČÍSLO DIELU
2SD1816T-TL-H-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.42
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SC2235-Y,F(J
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
PZT2907A-TP
TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
2SB1457,T6TOTOF(J
TRANS PNP 100V 2A TO92MOD
