2SJ360(TE12L,F)
Výrobca Číslo produktu:

2SJ360(TE12L,F)

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

2SJ360(TE12L,F)-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI

Inventár:

12889879
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

2SJ360(TE12L,F) Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
730mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
155 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PW-MINI
Balenie / puzdro
TO-243AA
Základné číslo produktu
2SJ360

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

2SJ305TE85LF

MOSFET P-CH 30V 200MA SC59

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2989(T6CANO,A,F

MOSFET N-CH TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J36FS,LF

MOSFET P-CH 20V 330MA SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK100E06N1,S1X

MOSFET N CH 60V 100A TO-220