Výrobca Číslo produktu:
2SK2507(F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SK2507(F)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
Podrobný popis:
N-Channel 50 V 25A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Inventár:
12890114
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SK2507(F) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
50 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
46mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
900 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220NIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
2SK2507
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J144TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
TPCA8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP
TK35A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
