Výrobca Číslo produktu:
2SK2719(F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SK2719(F)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventár:
12889784
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SK2719(F) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
750 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P(N)
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
2SK2719
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K339R,LF
MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
SSM6J409TU(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
