Výrobca Číslo produktu:
2SK2883(TE24L,Q)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SK2883(TE24L,Q)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 3A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Inventár:
12890320
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
LsXu
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SK2883(TE24L,Q) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
750 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
75W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SM
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
2SK2883
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD5N95K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2490
ČÍSLO DIELU
STD5N95K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.18
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FQPF3N80C
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
205
ČÍSLO DIELU
FQPF3N80C-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.71
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP4NK80ZFP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1826
ČÍSLO DIELU
STP4NK80ZFP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK31E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
TK7J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
TPCA8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
