Výrobca Číslo produktu:
2SK2993(TE24L,Q)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SK2993(TE24L,Q)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 20A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Inventár:
12889129
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SK2993(TE24L,Q) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4000 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SM
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
2SK2993
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQPF27N25
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
315
ČÍSLO DIELU
FQPF27N25-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.38
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3K72CFS,LF
MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
TK4P55DA(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK
SSM3J14TTE85LF
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
