2SK3127(TE24L,Q)

Výrobca Číslo produktu:

2SK3127(TE24L,Q)

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

2SK3127(TE24L,Q)-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 45A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-220SM

Inventár:

Online RFQ

12891774

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

2SK3127(TE24L,Q) Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

45A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

12mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 1mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

66 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2300 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

65W (Tc)

Prevádzková teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-220SM

Balenie / puzdro

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Základné číslo produktu

2SK3127

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

diodes

DMPH6023SK3-13

MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252

diodes

DMN5L06TK-7

MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

diodes

DMT4002LPS-13

MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8

diodes

DMN65D8LFB-7B

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN