Výrobca Číslo produktu:
2SK3566(STA4,Q,M)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
386 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889363
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SK3566(STA4,Q,M) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
π-MOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
470 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
2SK3566
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
2SK3566STA4QM
2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566-NDR
2SK3566Q-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK60P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
TK20A25D,S5Q(M
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
SSM3K376R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
