Výrobca Číslo produktu:
2SK3906(Q)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SK3906(Q)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventár:
12891357
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
hpXi
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SK3906(Q) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
330mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4250 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P(N)
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
2SK3906
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPH1R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
TK5A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
TPHR9003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
