Výrobca Číslo produktu:
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
HN1B01FU-Y(L,F,T)-DG
Popis:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
Inventár:
12891097
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HN1B01FU-Y(L,F,T) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové dosky
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN, PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
150mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Výkon - Max
200mW
Frekvencia - Prechod
120MHz
Prevádzková teplota
125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
US6
Základné číslo produktu
HN1B01
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
HN1B01FU-Y(LFT)DKR
HN1B01FU-Y(LFT)CT
HN1B01FU-Y(LFT)TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
UMZ1NTR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
109445
ČÍSLO DIELU
UMZ1NTR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HN1A01FE-GR,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
2SA1873-GR(TE85L,F
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
HN4B01JE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
