Výrobca Číslo produktu:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
HN3C51F-GR(TE85L,F-DG
Popis:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventár:
12889166
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HN3C51F-GR(TE85L,F Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové dosky
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
2 NPN (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
120V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Výkon - Max
300mW
Frekvencia - Prechod
100MHz
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-74, SOT-457
Balík zariadení dodávateľa
SM6
Základné číslo produktu
HN3C51
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
HN4A56JU(TE85L,F)
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
