Výrobca Číslo produktu:
RN1101MFV,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1101MFV,L3F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventár:
12891039
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1101MFV,L3F Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
4.7 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
4.7 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Základné číslo produktu
RN1101
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RN1101MFV,L3F(B
RN1101MFVL3FCT
RN1101MFV,L3F(T
RN1101MFVL3FDKR
RN1101MFVL3FTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DTC143EMT2L
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
19876
ČÍSLO DIELU
DTC143EMT2L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2311(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1444ATE85LF
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
DDTC122TU-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
