Výrobca Číslo produktu:
RN1106MFV,L3F(CT
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1106MFV,L3F(CT-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventár:
7979 Ks Nové Originálne Na Sklade
13275904
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1106MFV,L3F(CT Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
4.7 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Základné číslo produktu
RN1106
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
264-RN1106MFVL3F(TR
RN1106MFV,L3F(CB
264-RN1106MFVL3F(DKR
264-RN1106MFVL3F(CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2410,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
RN1310,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1103MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM