Výrobca Číslo produktu:
RN1106MFV,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1106MFV,L3F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventár:
53233 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891576
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1106MFV,L3F Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
4.7 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Základné číslo produktu
RN1106
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F-DG
RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3FDKR
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3FTR
RN1106MFVL3FCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1404S,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
DDTC123YKA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
