Výrobca Číslo produktu:
RN1110,LF(CT
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1110,LF(CT-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventár:
2978 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891365
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
lx24
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1110,LF(CT Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
4.7 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250 MHz
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-75, SOT-416
Balík zariadení dodávateľa
SSM
Základné číslo produktu
RN1110
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
264-RN1110,LF(CTTR
264-RN1110,LF(CTDKR
RN1110LF(CT-DG
RN1110LF(CT
RN1110,LF(CB
264-RN1110,LF(CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DTC143TET1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12000
ČÍSLO DIELU
DTC143TET1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1109,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2103,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN1308,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70