Výrobca Číslo produktu:
RN1110MFV,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1110MFV,L3F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventár:
8000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891181
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
hJ6M
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1110MFV,L3F Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
4.7 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Základné číslo produktu
RN1110
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
264-RN1110MFV,L3FCT
RN1110MFV(TL3T)TR
RN1110MFV(TL3T)DKR-DG
RN1110MFV(TL3,T)
RN1110MFVL3FTR
RN1110MFVTL3T
RN1110MFVL3F
RN1110MFVL3FTR-DG
RN1110MFVL3FDKR
RN1110MFVL3FDKR-DG
RN1110MFV,L3F(T
RN1110MFV(TL3T)CT
RN1110MFV(TL3T)DKR
RN1110MFV,L3F(B
RN1110MFV(TL3T)CT-DG
RN1110MFVL3FCT
RN1110MFVL3FINACTIVE
RN1110MFV(TL3T)TR-DG
RN1110MFVL3FCT-DG
RN1110MFVL3F-DG
264-RN1110MFV,L3FTR
264-RN1110MFV,L3FDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2104ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN2112,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2108(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
