RN1114(T5L,F,T)
Výrobca Číslo produktu:

RN1114(T5L,F,T)

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

RN1114(T5L,F,T)-DG

Popis:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Inventár:

12889196
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RN1114(T5L,F,T) Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
1 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
10 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250 MHz
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-75, SOT-416
Balík zariadení dodávateľa
SSM
Základné číslo produktu
RN1114

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1114T5LFT
RN1114(T5LFT)TR
RN1114(T5LFT)CT
RN1114(T5LFT)DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1416,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1102MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

diodes

DDTC123JE-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2303,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70