Výrobca Číslo produktu:
RN1130MFV,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1130MFV,L3F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Inventár:
7533 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889348
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1130MFV,L3F Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
100 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
100 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250 MHz
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Základné číslo produktu
RN1130
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RN1130MFV(TL3,T)
RN1130MFV,L3F(T
RN1130MFVTL3T
RN1130MFVL3FCT
RN1130MFVL3F-DG
RN1130MFV(TL3T)DKR
RN1130MFV(TL3T)CT
RN1130MFV,L3F(B
RN1130MFVL3FTR
RN1130MFV(TL3T)CT-DG
RN1130MFVL3FINACTIVE
RN1130MFVL3FDKR
RN1130MFVL3F
RN1130MFV(TL3T)TR
RN1130MFV(TL3T)DKR-DG
RN1130MFV(TL3T)TR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1101CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
RN2405,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN1113ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3