Výrobca Číslo produktu:
RN1511(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1511(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventár:
2870 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891142
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1511(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
10kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
-
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-74A, SOT-753
Balík zariadení dodávateľa
SMV
Základné číslo produktu
RN1511
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1511(TE85LF)CT
RN1511(TE85LF)DKR
RN1511(TE85LF)TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1901FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1961(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4903,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER2