Výrobca Číslo produktu:
RN1606(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1606(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventár:
372 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891055
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1606(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
4.7kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-74, SOT-457
Balík zariadení dodávateľa
SM6
Základné číslo produktu
RN1606
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1606(TE85LF)CT
RN1606(TE85LF)DKR
RN1606(TE85LF)TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IMH11AT110
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9969
ČÍSLO DIELU
IMH11AT110-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
PEMH13,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8000
ČÍSLO DIELU
PEMH13,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1908,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
RN4903(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2706,LF
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
