RN1701,LF
Výrobca Číslo produktu:

RN1701,LF

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

RN1701,LF-DG

Popis:

NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

Inventár:

6359 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889195
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RN1701,LF Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
4.7kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
4.7kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
200mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Balík zariadení dodávateľa
USV
Základné číslo produktu
RN1701

Technické údaje a dokumenty

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1701LFCT
RN1701LFTR
RN1701LFDKR
RN1701,LF(T
RN1701,LF(B

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2961(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4989FE,LF(CT

NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2911(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4910(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6