Výrobca Číslo produktu:
RN1702JE(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1702JE(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventár:
1134 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889360
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1702JE(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
10kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
10kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-553
Balík zariadení dodávateľa
ESV
Základné číslo produktu
RN1702
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
RN1702JE(TE85LF)TR
RN1702JE(TE85LF)CT
RN1702JE(TE85LF)DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1971FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1909,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN2703JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV