RN1705JE(TE85L,F)
Výrobca Číslo produktu:

RN1705JE(TE85L,F)

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

RN1705JE(TE85L,F)-DG

Popis:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV

Inventár:

510 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891442
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RN1705JE(TE85L,F) Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
2.2kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-553
Balík zariadení dodávateľa
ESV
Základné číslo produktu
RN1705

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
4,000
Iné mená
RN1705JE(TE85LF)DKR
RN1705JE(TE85LF)TR
RN1705JE(TE85LF)CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1963FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1604(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4603(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1906,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6