Výrobca Číslo produktu:
RN1706,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1706,LF-DG
Popis:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventár:
6587 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889410
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1706,LF Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
4.7kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
200mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Balík zariadení dodávateľa
USV
Základné číslo produktu
RN1706
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1706,LF(B
RN1706LFTR
RN1706LFDKR
RN1706LFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2911FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4984FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4989(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6