Výrobca Číslo produktu:
RN1710,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1710,LF-DG
Popis:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventár:
2535 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890364
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1710,LF Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
4.7kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
-
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
200mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Balík zariadení dodávateľa
USV
Základné číslo produktu
RN1710
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1710LFDKR
RN1710LFCT
RN1710,LF(B
RN1710LFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
UMG3NTR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6000
ČÍSLO DIELU
UMG3NTR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2909(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4902FE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1509(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV