RN1909,LXHF(CT
Výrobca Číslo produktu:

RN1909,LXHF(CT

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

RN1909,LXHF(CT-DG

Popis:

AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=4
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

Inventár:

6000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12968487
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RN1909,LXHF(CT Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
47kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
22kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
200mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
US6
Základné číslo produktu
RN1909

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
264-RN1909,LXHF(CT-DG
264-RN1909,LXHF(CT
264-RN1909,LXHF(CTTR-DG
264-RN1909,LXHF(CTDKR-DG
264-RN1909LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

NSBC143TPDXV6T5

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

onsemi

MUN5338DW1T3G

SS SC88 DUAL BRT TRPDBN

onsemi

NSVBC123JDXV6T5G

SS SOT563 SRF MT RST XSTR

onsemi

NSBA114EDXV6T1

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR