Výrobca Číslo produktu:
RN1910FE,LF(CT
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1910FE,LF(CT-DG
Popis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventár:
4750 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889497
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1910FE,LF(CT Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
4.7kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
-
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Základné číslo produktu
RN1910
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
RN1910FE,LF(CB
RN1910FELF(CTTR
RN1910FELF(CTDKR
RN1910FELF(CTCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1970FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN4901,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4985,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6