Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
DR Kongo
Argentína
Turecko
Rumunsko
Litva
Nórsko
Rakúsko
Angola
Slovensko
ltaly
Fínsko
Bielorusko
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Čierna Hora
Ruština
Belgicko
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Moldavsko
Nemecko
Holandsko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
Francúzsko
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Portugalsko
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Španielsko
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
RN1911(T5L,F,T)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1911(T5L,F,T)-DG
Popis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
Inventár:
Online RFQ
12890080
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1911(T5L,F,T) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
4.7kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
-
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
US6
Základné číslo produktu
RN1911
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
RN1910,11
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1911(T5LFT)TR
RN1911(T5LFT)DKR
RN1911(T5LFT)CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
UMH4NTN
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2980
ČÍSLO DIELU
UMH4NTN-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DDC114TU-7-F
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
123289
ČÍSLO DIELU
DDC114TU-7-F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
NSVMUN5215DW1T1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2510
ČÍSLO DIELU
NSVMUN5215DW1T1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
MUN5215DW1T1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8150
ČÍSLO DIELU
MUN5215DW1T1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DCX114TU-7-F
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
54
ČÍSLO DIELU
DCX114TU-7-F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DCX144EU-7
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
DCX124EH-7
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
RN4983FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
DDA144EU-7-F
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363