Výrobca Číslo produktu:
RN1973(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN1973(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200mW Surface Mount US6
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889872
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN1973(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
47kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
-
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
-
Výkon - Max
200mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
US6
Základné číslo produktu
RN1973
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN1973(TE85LF)CT
RN1973(TE85LF)DKR
RN1973(TE85LF)TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2963(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4908,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
RN2969(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
