Výrobca Číslo produktu:
RN2111MFV,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2111MFV,L3F-DG
Popis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventár:
7550 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891289
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2111MFV,L3F Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
10 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Základné číslo produktu
RN2111
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
264-RN2111MFV,L3FTR
RN2111MFVL3F-DG
RN2111MFVL3F
264-RN2111MFV,L3FDKR
264-RN2111MFV,L3FCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DTA114TMT2L
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3120
ČÍSLO DIELU
DTA114TMT2L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2110ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN1425TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
RN1427TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
