Výrobca Číslo produktu:
RN2112ACT(TPL3)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2112ACT(TPL3)-DG
Popis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventár:
10000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891516
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2112ACT(TPL3) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
80 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
22 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Výkon - Max
100 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-101, SOT-883
Balík zariadení dodávateľa
CST3
Základné číslo produktu
RN2112
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
RN2112ACT(TPL3)TR
RN2112ACT(TPL3)CT
RN2112ACT(TPL3)DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1119MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1417(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
DDTA123TKA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3
