Výrobca Číslo produktu:
RN2119MFV(TPL3)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2119MFV(TPL3)-DG
Popis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889108
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2119MFV(TPL3) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
1 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Základné číslo produktu
RN2119
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
RN2119MFV(TPL3)CT
RN2119MFV(TPL3)DKR
RN2119MFV(TPL3)TR
RN2119MFV(TPL3)-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DDTA113TE-7-F
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DDTA113TE-7-F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1104,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1105MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2302,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70