Výrobca Číslo produktu:
RN2503(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2503(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventár:
2678 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891494
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2503(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
22kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
22kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
200MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-74A, SOT-753
Balík zariadení dodávateľa
SMV
Základné číslo produktu
RN2503
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN2503(TE85LF)DKR
RN2503(TE85LF)TR
RN2503(TE85LF)CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FMA1AT148
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2551
ČÍSLO DIELU
FMA1AT148-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.09
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2709JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2510(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN2504(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
