RN2902FE,LF(CT
Výrobca Číslo produktu:

RN2902FE,LF(CT

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

RN2902FE,LF(CT-DG

Popis:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount ES6

Inventár:

3990 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891791
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RN2902FE,LF(CT Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
10kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
10kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
200MHz
Výkon - Max
200mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Základné číslo produktu
RN2902

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
4,000
Iné mená
RN2902FELF(CTTR
RN2902FELF(CTDKR
RN2902FE,LF(CB
RN2902FELF(CTCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
NSVBA114EDXV6T1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NSVBA114EDXV6T1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
PEMB11,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8520
ČÍSLO DIELU
PEMB11,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
NSBA114EDXV6T1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4000
ČÍSLO DIELU
NSBA114EDXV6T1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
EMB11T2R
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
30713
ČÍSLO DIELU
EMB11T2R-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2905FE,LF(CT

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2710JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1906(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4905FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6