Výrobca Číslo produktu:
RN2965(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2965(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventár:
2998 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889642
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2965(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
2.2kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
47kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
200MHz
Výkon - Max
200mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
US6
Základné číslo produktu
RN2965
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN2965(TE85LF)DKR
RN2965(TE85LF)CT
RN2965(TE85LF)TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
MUN5135DW1T1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
52194
ČÍSLO DIELU
MUN5135DW1T1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DDA123JU-7-F
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5700
ČÍSLO DIELU
DDA123JU-7-F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN2907,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN4984(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1905,LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6