Výrobca Číslo produktu:
RN2969FE(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2969FE(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventár:
12889941
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2969FE(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
47kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
22kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
200MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Základné číslo produktu
RN2969
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
RN2969FE(TE85LF)TR
RN2969FE(TE85LF)DKR
RN2969FE(TE85LF)CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN4911(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4911,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
RN2902,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
