RN4991FE,LF(CT
Výrobca Číslo produktu:

RN4991FE,LF(CT

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

RN4991FE,LF(CT-DG

Popis:

NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventár:

12889594
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RN4991FE,LF(CT Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
10kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
-
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
250MHz, 200MHz
Výkon - Max
100mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Základné číslo produktu
RN4991

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
4,000
Iné mená
RN4991FELF(CTCT
RN4991FE,LF(CB
RN4991FELF(CTDKR
RN4991FELF(CTTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2902FE(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1502(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4982,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1910FE(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6