Výrobca Číslo produktu:
SSM3J114TU(TE85L)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3J114TU(TE85L)-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventár:
93 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889273
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3J114TU(TE85L) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
149mOhm @ 600mA, 4V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.7 nC @ 4 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
331 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
UFM
Balenie / puzdro
3-SMD, Flat Leads
Základné číslo produktu
SSM3J114
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SSM3J114TU(TE85L)CT
SSM3J114TU(TE85L)TR
SSM3J114TU(TE85L)DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SSM3J135TU,LF
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
56
ČÍSLO DIELU
SSM3J135TU,LF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J356R,LF
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
SSM3K131TU,LF
MOSFET N-CH 30V 6A UFM
TK28N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
