Výrobca Číslo produktu:
SSM3J15CT(TPL3)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3J15CT(TPL3)-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventár:
12890183
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3J15CT(TPL3) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
π-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9.1 pF @ 3 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
CST3
Balenie / puzdro
SC-101, SOT-883
Základné číslo produktu
SSM3J15
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
SSM3J15CT(TPL3)TR
SSM3J15CTL3FCT
SSM3J15CTL3FTR
SSM3J15CTTPL3
SSM3J15CTL3FDKR-DG
SSM3J15CTL3FTR-DG
SSM3J15CTL3FDKR
SSM3J15CT(TPL3)DKR
SSM3J15CT(TPL3)CT
SSM3J15CTL3FCT-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PMZ1200UPEYL
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9975
ČÍSLO DIELU
PMZ1200UPEYL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK2989(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
SSM3K59CTB,L3F
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
