Výrobca Číslo produktu:
SSM3J15FU,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3J15FU,LF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventár:
3484 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890803
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3J15FU,LF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
π-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.7V @ 100µA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9.1 pF @ 3 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
USM
Balenie / puzdro
SC-70, SOT-323
Základné číslo produktu
SSM3J15
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SSM3J15FULFTR
SSM3J15FU,LF(T
SSM3J15FU,LF(B
SSM3J15FULFCT
SSM3J15FULFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
