Výrobca Číslo produktu:
SSM3J338R,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3J338R,LF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventár:
412262 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889386
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3J338R,LF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVII
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 8V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17.6mOhm @ 6A, 8V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1400 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23F
Balenie / puzdro
SOT-23-3 Flat Leads
Základné číslo produktu
SSM3J338
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR
SSM3J338R,LF(B
SSM3J338RLFDKR
SSM3J338RLFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK3662(F)
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
SSM3H137TU,LF
MOSFET N-CH 34V 2A UFM
TK30S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
