Výrobca Číslo produktu:
SSM3J35CTC,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3J35CTC,L3F-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3C
Inventár:
14955 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889295
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3J35CTC,L3F Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVII
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
250mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.2V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 100µA
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
42 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
CST3C
Balenie / puzdro
SC-101, SOT-883
Základné číslo produktu
SSM3J35
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
SSM3J35CTCL3FDKR
SSM3J35CTCL3F
SSM3J35CTCL3FCT
SSM3J35CTCL3FTR
SSM3J35CTC,L3F(B
SSM3J35CTC,L3F(T
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK13A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
DMT32M5LFG-13
MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
SSM3K7002KF,LF
MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
