Výrobca Číslo produktu:
SSM3J372R,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3J372R,LF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventár:
227114 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889250
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3J372R,LF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+12V, -6V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
560 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23F
Balenie / puzdro
SOT-23-3 Flat Leads
Základné číslo produktu
SSM3J372
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SSM3J372RLFCT
SSM3J372RLFTR
SSM3J372R,LF(T
SSM3J372R,LF(B
SSM3J372RLFDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK20C60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
