Výrobca Číslo produktu:
SSM3J46CTB(TPL3)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3J46CTB(TPL3)-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 2A (Ta) Surface Mount CST3B
Inventár:
29 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889541
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3J46CTB(TPL3) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
U-MOSVI
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
290 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
CST3B
Balenie / puzdro
3-SMD, No Lead
Základné číslo produktu
SSM3J46
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
SSM3J46CTB(TPL3)TR
SSM3J46CTBTPL3
SSM3J46CTB (TPL3)
SSM3J46CTB(TPL3)DKR
SSM3J46CTB(TPL3)CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SSM3J377R,LF
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5905
ČÍSLO DIELU
SSM3J377R,LF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
SSM3K316T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 4A TSM
2SJ438,MDKQ(J
MOSFET P-CH TO220NIS