Výrobca Číslo produktu:
SSM3K324R,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3K324R,LF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventár:
24151 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889189
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3K324R,LF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
55mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
190 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23F
Balenie / puzdro
SOT-23-3 Flat Leads
Základné číslo produktu
SSM3K324
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SSM3K324R,LF(T
SSM3K324RLF
SSM3K324RLFTR
SSM3K324RLFDKR
SSM3K324R,LF(B
SSM3K324RLFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK3309(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS