Výrobca Číslo produktu:
SSM3K35AMFV,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM3K35AMFV,L3F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventár:
209110 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891507
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
24P4
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM3K35AMFV,L3F Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSIII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
250mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.2V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.34 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
36 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
VESM
Balenie / puzdro
SOT-723
Základné číslo produktu
SSM3K35
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
SSM3K35AMFVL3F(B
SSM3K35AMFVL3FCT
SSM3K35AMFVL3F(T
SSM3K35AMFV,L3F(B
SSM3K35AMFVL3FTR
SSM3K35AMFVL3FDKR
SSM3K35AMFV,L3F(T
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
SSM5N15FU,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA USV
SSM3J15FS,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
